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三星宣布大规模生产第五代V-NAND闪存芯片

据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
发布时间:2018-07-11 15:56        来源:环球网科技        作者:环球网科技

本文地址:http://www.chxmc.com/2018/0711/10405968.shtml
文章摘要:三星宣布大规模生产第五代V,中国通信学会学术工作部主任时光发表致辞  在开幕式上,中国通信学会学术工作部主任时光发表致辞时表示:人工智能是一个宏大的极其复杂的命题,从现在发展来看,人工智能也许是继19世纪末20世纪物理学取得大爆发研究成果以来,人类科学发展集中取得历史性突破的一个领域。古城西安的回民街,是古老丝路客商的落脚点,也是世界饮食文化的交流窗口,这里汇聚了300多种来自丝绸之路沿线国家和地区的美食,吸引着数以万计的外国人来这里品尝美食、追寻历史。  一天端掉20多个,“打‘黑电台’就像割韭菜”  “就像割韭菜,割了一茬,不久又冒出一茬。,  “疑今者,察之古;不知来者,视之往。  2月26日晚间,老板电器发布2017年业绩快报及2018年一季报预告,公司去年实现营业收入近70亿元,同比增长21%;净利润亿元,同比增长20%;基本每股收益元,加权平均净资产收益率%,较上年%减少了个百分点。编辑:彭华。

据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。

三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比,后者使存储的传输速度提高了40%。此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙,与前一代相比改进了30%,读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能,电压从1.8V降至1.2V。

为了实现上述所有的改进,新一代V-NAND配备了90层的3D TLC 闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔。这些小孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个闪存单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这种制造方法包括了许多先进技术,比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述,但该公司称,V-NAND的改进使其生产效率提高了30%以上。

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